抢先台积电，这家公司率先量产3nm芯片。

为了换来自由出货许可，台积电曾宣布要在美建厂，并希望拿到更多的美国订单，但是事与愿违，没想到美却耍起了无赖，承诺的补贴不仅迟迟不给，甚至不想给了，不仅如此，连台积电想要的出货许可也没得到。

为此，台积电也想明白了。台积电准备在今年下半年开始大规模生产3nm芯片，因此在美建设5nm生产线的事对台积电来说就不那么着急了。不过对台积电来说，却突如其来了另一个不好的消息，那就是有人抢先台积电开始生产3nm芯片了。

据 BusinessKorea 报道，三星电子将于 6 月 30 日开始批量生产基于全环绕栅极（GAA）技术的 3 纳米半导体。如果属实的话，三星电子将抢先台积电和英特尔量产 3 纳米芯片。 3nm芯片竞争异常激烈，三星电子采用了与台积电完全不同的技术路线，三星电子率先采用全环绕栅极（GAA）晶体管，台积电则是继续采用鳍式场效应晶体管（FinFET）架构，与之相比，三星电子的工艺性能将提升 30%，能耗降低 50%，逻辑面积效率提升超过 45%。

不过，很多网友对三星量产3nm芯片并不持乐观态度，认为，三星的3nm芯片工艺质量还达不到台积电的4nm工艺，甚至说其不要脸。小编则认为，这并不是一件坏事。如此有竞争，才会让科技进步的更快。不过，看到国外的工艺不断的进步，我们反而止步不前，心里却是不是滋味。也希望有一天，我们能够迎头而上，弯道超车。